驻马店大功率补偿式稳压器多少钱
当晶体管偏置为“ON”（开关闭合）时，二管D1变为反向偏置，输入电压VIN导致电流通过电感器流向输出端连接的负载，从而为电容器C1充电。当变化的电流流过电感线圈时，它会产生一个反电动势，根据法拉第定律，它与电流的流动相反，直到它达到一个稳定状态，在电感器周围产生磁场L1。只要TR1关闭，这种情况就会无限期地持续下去。当晶体管TR1被控制电路“关闭”（开关打开）时，输入电压会立即与发射电路断开，从而导致电感器周围的磁场崩溃，从而在电感器上产生反向电压。
稳压器有:大型的几十至几千千瓦的交流稳压器，是供给大型实验与工业、医疗设备的工作电源。也有小型的几瓦到几千瓦的交流稳压器，是为小型实验室或家庭电器提供高质量电源
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瞬态应用。线性稳压器反馈环路一般都是内置的，因此无需外部补偿。相比于SMPS，线性稳压器通常具有较宽的控制环路带宽和较快的瞬态响应。低压差应用。对于那些输出电压接近输入电压的应用来说，LDO可能比SMPS更有效。有低压差LDO（VLDO），例如:凌力尔特的LTC1844、LT3020和LTC3025，这些器件可提供20mV至90mV的压差电压和高达150mA的电流。小输入电压可低至0.9V.由于LR中没有AC开关损耗，因此LR或LDO的轻负载效率与其满负载效率很相近。SMPS常常因其AC开关损耗的缘故而具有较低的轻负载效率。在轻负载效率同样十分关键的电池供电型应用中，LDO可提供一种优于SMPS的解决方案。
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在电感两端对节点IN和SW之间的电压进行差分探测。T期间上，MOSFET导通，因此电感的右侧靠近地电位，而左侧位于V处在，使电感两端的电压在T期间为12V上.T期间关闭MOSFET关闭，电感的右侧为48V，而左侧为V在，如在T期间上.因为差分探头减去V西南部从V在，结果为–36V，但符号无关紧要（目前）。重要的是电感在12V和36V之间变化。稳态下通过电感器的电压和电流。T期间上，电感两端的电压绘制一个正di/dt，即蓝I（L1）图的斜率。此跟踪的大点为I峰，计算为0.847A。使用LTspice，我们可以看到峰值电流约为866mA。测量电感峰值电流。为了正确选择具有额定电流（IR）和饱和电流（I坐).IR更多的是在规定的电流下产生多少热量，而I坐适用于调用短路保护的事件。如果使用具有内部MOSFET的稳压器，（I坐>稳压器电流限制），如果控制器与外部MOSFET一起使用，则（I坐>峰值电感值），当触发电流限制时。