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由于P沟道FET稳压器具有较低的压差和接地电流，因此被广泛用于许多电池供电的设备。该类型稳压器将P沟道FET用作它的旁路元件。这种稳压器的电压差可以很低，因为很容易通过调整FET尺寸将漏-源阻抗调整到较低值。另一个有用的特性是低的接地电流，因为P沟道FET的“栅电流”很低。然而，由于P沟道FET具有相对大的栅电容，因此它需要外接具有特定范围容量与ESR的电容才能稳定工作。N沟道FET稳压器适合那些要求低压差、低接地电流和高负载电流的设备使用。用于旁路管采用的是N沟道FET，因此这种稳压器的压差和接地电流都很低。虽然它也需要外接电容才能稳定工作，但电容值不用很大，ESR也不重要。N沟道FET稳压器需要充电泵来建立栅偏置电压，因此电路相对复杂一些。幸运的是，相同负载电流下N沟道FET尺寸多时可比P沟道FET小50%.
通过二管的电流和电压显示了二管V两端的仿真差分电压软件，输出、二管正向电流I（D1）和电感电流I（L1）。当开关打开时（在T期间上），阳接近地，阴处于输出电压，因此二管反向偏置并暴露在其大电压下，即V外.选择具有V的二管RRM（大峰值重复反向电压）高于V外是个标准。二管电压和电流以及电感中的电流。一旦MOSFET关闭，电感的峰值电流就会流过二管，在T开始时关闭周期，因此二管峰值电流与电感峰值电流相同。二管数据手册包括一个名为I的参数FRM，在持续时间和占空比处指定的重复峰值正向电流。该参数通常高于二管可以提供的平均电流。
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线性稳压器（LinearRegulator）使用在其线性区域内运行的晶体管或FET，从应用的输入电压中减去超额的电压，产生经过调节的输出电压。其产品均采用小型封装，具有出的性能，并且提供热过载保护、限流等增值特性，关断模式还能大幅降低功耗。线性稳压器的工作原理我们从一个简单的例子开始。在嵌入式系统中，可从前端提供一个12V总线电压轨。在系统板上，需要一个3.3V电压为一个运算放大器（运放）供电。产生3.3V电压简单的方法是使用一个从12V总线引出的电阻分压器，如图1所示。这种做法效果好吗？回答常常是“否”。在不同的工作条件下，运放的VCC引脚电流可能会发生变化。假如采用一个固定的电阻分压器，则ICVCC电压将随负载而改变。此外，12V总线输入还有可能未得到良好的调节。在同一个系统中，也许有很多其他的负载共享12V电压轨。由于总线阻抗的原因，12V总线电压会随着总线负载情况的变化而改变。因此，电阻分压器不能为运放提供一个用于确保其正确操作的3.3V稳定电压。于是，需要一个的电压调节环路。如图2所示，反馈环路调整顶端电阻器R1的阻值以动态地调节VCC上的3.3V.
线性稳压器的主要缺点之一是效率低下，因为它们在某些用例中会消耗大量功率。线性稳压器的电压降与电阻器两端的电压降相当。例如，输入电压为 5V，输出电压为 3V，端子之间有 2V 的压降，效率被限制在 3V/5V (60%)。