大功率补偿式稳压器厂家批发
在电感两端对节点IN和SW之间的电压进行差分探测。T期间上，MOSFET导通，因此电感的右侧靠近地电位，而左侧位于V处在，使电感两端的电压在T期间为12V上.T期间关闭MOSFET关闭，电感的右侧为48V，而左侧为V在，如在T期间上.因为差分探头减去V西南部从V在，结果为–36V，但符号无关紧要（目前）。重要的是电感在12V和36V之间变化。稳态下通过电感器的电压和电流。T期间上，电感两端的电压绘制一个正di/dt，即蓝I（L1）图的斜率。此跟踪的大点为I峰，计算为0.847A。使用LTspice，我们可以看到峰值电流约为866mA。测量电感峰值电流。为了正确选择具有额定电流（IR）和饱和电流（I坐).IR更多的是在规定的电流下产生多少热量，而I坐适用于调用短路保护的事件。如果使用具有内部MOSFET的稳压器，（I坐>稳压器电流限制），如果控制器与外部MOSFET一起使用，则（I坐>峰值电感值），当触发电流限制时。
由于部分电器中含有线圈组件，在通电初期会产生阻碍电流的涡流，涡流的产生既会削弱到电器启动时的瞬时电压，导致启动缓慢，又会加强断路后产生的瞬时电压，可能产生火花损坏电路。此时便需要一个稳压器来保护电路的正常运行。
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由于晶体管提供电流增益，因此输出负载电流将远高于基电流，如果使用达林顿晶体管布置，则更高。此外，如果输入电压高以获得所需的输出电压，则输出电压由晶体管基电压控制，在此示例中，输出电压为5.7伏，以向负载产生大约0.7伏的5伏输出在基和发射之间的晶体管上下降。然后根据基电压的值，可以获得发射输出电压的值。虽然这个简单的串联稳压器电路可以工作，但其缺点是串联晶体管在其线性区域内持续偏置，以热量的形式耗散功率。由于负载电流都通过串联晶体管，这会导致效率低下、功率浪费以及晶体管周围持续发热。
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需要注意的是，此处描述的升压拓扑对电感或二管没有电流限制。如果未使用开关，或者IC关闭，则输入到输出之间有一条直接路径。有些IC可提供额外的保护功能，例如停机模式中的输出断开、浪涌电流限制，以及解决这种直接输入至输出连接的其他功能—例如，LTC3122和LTC3539。为了提率，应使用具有低DCR（直流电阻）和低磁芯损耗的电感器。电感数据手册中注明了特定温度下的DCR——它随温度升高并具有容差。直流损耗可以通过P轻松计算INDUCTOR_LOSS=IIN_AV²×DCR，而交流损耗和磁芯损耗可以在制造商的仿真或其他文档中找到。LTspice可以集成功率来计算相关的功率损耗。为LTspice提供电感记录的DCR和其他已知寄生参数可提高LTspice仿真精度。