合江智能无触点数控式稳压器厂家价格
对二管耗散的功率进行积分，以产生平均功耗。二管具有一些在其导通期间充电的电容。当二管导通时，释放累积的电荷。这种阻尼电荷移动会导致功率损失，因此建议选择低电容值。该电容值随二管的反向电压而变化，二管数据手册应包括显示此效应的图表。该内部电容通常在二管数据手册中显示为Cd并在LTspice数据库中作为C乔.使用低电容二管可放宽对大反向恢复电流的要求，从而提率。图20显示了关于恢复电流的注意事项。反向恢复中固有的功耗留给读者练。
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需要注意的是，此处描述的升压拓扑对电感或二管没有电流限制。如果未使用开关，或者IC关闭，则输入到输出之间有一条直接路径。有些IC可提供额外的保护功能，例如停机模式中的输出断开、浪涌电流限制，以及解决这种直接输入至输出连接的其他功能—例如，LTC3122和LTC3539。为了提率，应使用具有低DCR（直流电阻）和低磁芯损耗的电感器。电感数据手册中注明了特定温度下的DCR——它随温度升高并具有容差。直流损耗可以通过P轻松计算INDUCTOR_LOSS=IIN_AV²×DCR，而交流损耗和磁芯损耗可以在制造商的仿真或其他文档中找到。LTspice可以集成功率来计算相关的功率损耗。为LTspice提供电感记录的DCR和其他已知寄生参数可提高LTspice仿真精度。
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稳压器容量都用伏安(VA)或千伏安(KVA)值表示﹐是负载中除纯电阻性负载外﹐还有感性和容性负载﹐即负载中除有功功率外﹐还有无功功率。这个指针反映了交流稳压电源带感性及容性负载的能力。
线性电压稳压器是按照导通组件技术进行分类，包括:NPN-Darlington、NPN、PNP、PMOS及NMOS稳压器。显示不同的类型以及一般小电压差与静态电流特性。PNP双体晶体管一般被运用于低压降的应用，主要是因为这类晶体管很容易就能够达到低压降，然而，它会产生高静态电流，而且效率不高，因此不适用于以发挥率为首要考虑的应用。PMOS装置经过大量心力的开发，目前的效能已超越大多数的双体装置。