阳泉SVC系列稳压器生产厂家
正如预期的那样，当MOSFET导通时，电压电位接近地，但更重要的是，在T期间关闭，MOSFET关断，漏电压受输出电压加二管压降的影响。现在我们知道V的压力是多少了DS的场效应管。如果我们选择使用外部MOSFET作为电源开关的控制器设计，我们应该选择具有V的MOSFETDS额定电压为60V。在LTspice波形查看器中，可以使用光标进行水平和垂直测量，类似于示波器上的光标。要调用光标，请单击LTspice波形查看器中的V（sw）标签。这会将个游标附加到跟踪，再单击一次将第二个游标附加到同一迹线。或者，右键单击标签并选择所需的光标以显示给定的探测迹线。使用这些光标，您可以测量T上并计算占空比，由T给出上/时期。
当输入VBUS电压下降或负载电流增大时，VCC输出电压下降。反馈电压VFB也将下降。因此，反馈误差放大器和电流放大器产生更多的电流并输入晶体管Q1的基。这将减小电压降VCE，因而使VCC输出电压恢复，这样一来VFB=VREF.另一方面，如果VCC输出电压上升，则负反馈电路采取相似的方式增加VCE以确保3.3V输出的准确调节。总之，VO的变化都被线性稳压器晶体管的VCE电压所消减。所以，输出电压VCC恒定并处于良好调节状态。
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对二管耗散的功率进行积分，以产生平均功耗。二管具有一些在其导通期间充电的电容。当二管导通时，释放累积的电荷。这种阻尼电荷移动会导致功率损失，因此建议选择低电容值。该电容值随二管的反向电压而变化，二管数据手册应包括显示此效应的图表。该内部电容通常在二管数据手册中显示为Cd并在LTspice数据库中作为C乔.使用低电容二管可放宽对大反向恢复电流的要求，从而提率。图20显示了关于恢复电流的注意事项。反向恢复中固有的功耗留给读者练。
线性稳压器的主要缺点之一是效率低下，因为它们在某些用例中会消耗大量功率。线性稳压器的电压降与电阻器两端的电压降相当。例如，输入电压为 5V，输出电压为 3V，端子之间有 2V 的压降，效率被限制在 3V/5V (60%)。