珠海三相全自动稳压器品牌直销
NMOS导通组件的大优势是它的电阻不高，不过，闸驱动的困难却使得这类导通组件在应用中显得并不理想。NMOSLDO（如TPS74901）能够在3A输出电流的情况下达到120mV小电压差。与PMOS拓朴装置不同的是，输出电容器对于回路稳定性的影响不大。不论是搭配多颗电容器或甚至不搭配电容器，德州仪器推出的多款NMOSLDO稳定的运作。NMOS的瞬时响应也优于PMOS拓朴，对于低输入电压的应用更是如此。
通过二管的电流和电压显示了二管V两端的仿真差分电压软件，输出、二管正向电流I（D1）和电感电流I（L1）。当开关打开时（在T期间上），阳接近地，阴处于输出电压，因此二管反向偏置并暴露在其大电压下，即V外.选择具有V的二管RRM（大峰值重复反向电压）高于V外是个标准。二管电压和电流以及电感中的电流。一旦MOSFET关闭，电感的峰值电流就会流过二管，在T开始时关闭周期，因此二管峰值电流与电感峰值电流相同。二管数据手册包括一个名为I的参数FRM，在持续时间和占空比处指定的重复峰值正向电流。该参数通常高于二管可以提供的平均电流。
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由于晶体管开关不断闭合和打开，因此平均输出电压值将与占空比D相关，D定义为晶体管开关在一个完整开关周期内的导通时间。如果VIN是电源电压，晶体管开关的“ON”和“OFF”时间定义为:tON和tOFF，则输出电压VOUT为:降压转换器的占空比也可以定义为:因此占空比越大，开关电源的平均直流输出电压就越高。由此还可以看到，输出电压将低于输入电压，因为占空比D不会达到1（单位），从而导致降压稳压器。
线性稳压器的主要缺点之一是效率低下，因为它们在某些用例中会消耗大量功率。线性稳压器的电压降与电阻器两端的电压降相当。例如，输入电压为 5V，输出电压为 3V，端子之间有 2V 的压降，效率被限制在 3V/5V (60%)。