菏泽稳压器厂家直销
正如预期的那样，当MOSFET导通时，电压电位接近地，但更重要的是，在T期间关闭，MOSFET关断，漏电压受输出电压加二管压降的影响。现在我们知道V的压力是多少了DS的场效应管。如果我们选择使用外部MOSFET作为电源开关的控制器设计，我们应该选择具有V的MOSFETDS额定电压为60V。在LTspice波形查看器中，可以使用光标进行水平和垂直测量，类似于示波器上的光标。要调用光标，请单击LTspice波形查看器中的V（sw）标签。这会将个游标附加到跟踪，再单击一次将第二个游标附加到同一迹线。或者，右键单击标签并选择所需的光标以显示给定的探测迹线。使用这些光标，您可以测量T上并计算占空比，由T给出上/时期。
比较负载电流上方和下方形成的电感电流的三角形形状，我们可以看到它们是相等的，简单的代数计算表明:平均电感电流等于负载电流。降压拓扑—电感电流和负载电流仿真示例。搜索降压稳压器IC时，可以地假设数据手册显示大允许输出电流，如I在≈I外，但升压拓扑并非如此。让我们看一下，其中显示了3.3V输入至12V输出的开环升压设计，电流为0.275A，约3.3W。在这种情况下，平均电感电流是多少？升压拓扑:3.3V至12V，约3.3W。输出电流为291mA，I（R2）时的直流走线，接近计算值。仿真负载电流为291mA，仿真结果表明电感电流的平均值为945mA，峰值大于1A。这是输出电流的3.6倍以上。T期间上—M2导通的时间，L2两端的电压为V3—电感从其小值充电到大值。T期间上，D2关断，负载电流由输出电容提供。LTspice仿真结果，在0.275A时从3.3V升压至12V。
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NMOS导通组件的大优势是它的电阻不高，不过，闸驱动的困难却使得这类导通组件在应用中显得并不理想。NMOSLDO（如TPS74901）能够在3A输出电流的情况下达到120mV小电压差。与PMOS拓朴装置不同的是，输出电容器对于回路稳定性的影响不大。不论是搭配多颗电容器或甚至不搭配电容器，德州仪器推出的多款NMOSLDO稳定的运作。NMOS的瞬时响应也优于PMOS拓朴，对于低输入电压的应用更是如此。
线性稳压器的主要缺点之一是效率低下，因为它们在某些用例中会消耗大量功率。线性稳压器的电压降与电阻器两端的电压降相当。例如，输入电压为 5V，输出电压为 3V，端子之间有 2V 的压降，效率被限制在 3V/5V (60%)。