宁德无触点稳压器价格
稳压器有两种主要类型:线性和开关。这两种类型都可以调节系统的电压，但线性稳压器以低效率运行，而开关稳压器以高效率运行。在高效率开关稳压器中，大部分输入功率无耗散地传输到输出端。
此外，在开关稳压器设计中使用单个电感器和二管以及能够在千赫兹范围内的开关频率下工作的开关固态开关，这样可以大大减小电源的尺寸和重量，这是因为在他们的设计中不会有大而重的降压（或升压）电压电源变压器。但是，如果需要在输入和输出端子之间进行电气隔离，则在转换器之前包含一个变压器。稳压器是使输出电压稳定的设备。稳压器由调压、控制电路、及伺服等组成。当输入电压或负载变化时，控制电路进行取样、比较、放大，然后驱动伺服电机转动，使碳刷的位置改变，通过自动调整线圈匝数比，从而保持输出电压的稳定。
由于P沟道FET稳压器具有较低的压差和接地电流，因此被广泛用于许多电池供电的设备。该类型稳压器将P沟道FET用作它的旁路元件。这种稳压器的电压差可以很低，因为很容易通过调整FET尺寸将漏-源阻抗调整到较低值。另一个有用的特性是低的接地电流，因为P沟道FET的“栅电流”很低。然而，由于P沟道FET具有相对大的栅电容，因此它需要外接具有特定范围容量与ESR的电容才能稳定工作。N沟道FET稳压器适合那些要求低压差、低接地电流和高负载电流的设备使用。用于旁路管采用的是N沟道FET，因此这种稳压器的压差和接地电流都很低。虽然它也需要外接电容才能稳定工作，但电容值不用很大，ESR也不重要。N沟道FET稳压器需要充电泵来建立栅偏置电压，因此电路相对复杂一些。幸运的是，相同负载电流下N沟道FET尺寸多时可比P沟道FET小50%.
由于晶体管提供电流增益，因此输出负载电流将远高于基电流，如果使用达林顿晶体管布置，则更高。此外，如果输入电压高以获得所需的输出电压，则输出电压由晶体管基电压控制，在此示例中，输出电压为5.7伏，以向负载产生大约0.7伏的5伏输出在基和发射之间的晶体管上下降。然后根据基电压的值，可以获得发射输出电压的值。虽然这个简单的串联稳压器电路可以工作，但其缺点是串联晶体管在其线性区域内持续偏置，以热量的形式耗散功率。由于负载电流都通过串联晶体管，这会导致效率低下、功率浪费以及晶体管周围持续发热。