深圳单相交流稳压器品牌直销
当输入VBUS电压下降或负载电流增大时，VCC输出电压下降。反馈电压VFB也将下降。因此，反馈误差放大器和电流放大器产生更多的电流并输入晶体管Q1的基。这将减小电压降VCE，因而使VCC输出电压恢复，这样一来VFB=VREF.另一方面，如果VCC输出电压上升，则负反馈电路采取相似的方式增加VCE以确保3.3V输出的准确调节。总之，VO的变化都被线性稳压器晶体管的VCE电压所消减。所以，输出电压VCC恒定并处于良好调节状态。
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由于晶体管开关不断闭合和打开，因此平均输出电压值将与占空比D相关，D定义为晶体管开关在一个完整开关周期内的导通时间。如果VIN是电源电压，晶体管开关的“ON”和“OFF”时间定义为:tON和tOFF，则输出电压VOUT为:降压转换器的占空比也可以定义为:因此占空比越大，开关电源的平均直流输出电压就越高。由此还可以看到，输出电压将低于输入电压，因为占空比D不会达到1（单位），从而导致降压稳压器。
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稳压器容量都用伏安(VA)或千伏安(KVA)值表示﹐是负载中除纯电阻性负载外﹐还有感性和容性负载﹐即负载中除有功功率外﹐还有无功功率。这个指针反映了交流稳压电源带感性及容性负载的能力。
NMOS导通组件的大优势是它的电阻不高，不过，闸驱动的困难却使得这类导通组件在应用中显得并不理想。NMOSLDO（如TPS74901）能够在3A输出电流的情况下达到120mV小电压差。与PMOS拓朴装置不同的是，输出电容器对于回路稳定性的影响不大。不论是搭配多颗电容器或甚至不搭配电容器，德州仪器推出的多款NMOSLDO稳定的运作。NMOS的瞬时响应也优于PMOS拓朴，对于低输入电压的应用更是如此。