舟山三相大功率稳压器生产厂家
稳压器有两种主要类型:线性和开关。这两种类型都可以调节系统的电压，但线性稳压器以低效率运行，而开关稳压器以高效率运行。在高效率开关稳压器中，大部分输入功率无耗散地传输到输出端。
V西南部、晶体管大允许电压和占空比限制通常V在IC的范围在数据手册中指定——推荐范围和对大值。数据手册中表示，带有内部电源开关的升压稳压器可能提供的高输出电压为其大V西南部额定值。如果使用带有外部MOSFET的升压控制器作为电源开关，则MOSFET的数据手册中标明为VDS额定值是限制大输出电压的因素。例如，LT8330升压稳压器的输入电压范围为3V至40V，对大开关电压为60V，固定开关频率为2MHz。虽然对大60V开关电压额定值使器件能够产生升压输出至60V，但佳做法是保持低于此电压至少2V。
需要注意的是，此处描述的升压拓扑对电感或二管没有电流限制。如果未使用开关，或者IC关闭，则输入到输出之间有一条直接路径。有些IC可提供额外的保护功能，例如停机模式中的输出断开、浪涌电流限制，以及解决这种直接输入至输出连接的其他功能—例如，LTC3122和LTC3539。为了提率，应使用具有低DCR（直流电阻）和低磁芯损耗的电感器。电感数据手册中注明了特定温度下的DCR——它随温度升高并具有容差。直流损耗可以通过P轻松计算INDUCTOR_LOSS=IIN_AV²×DCR，而交流损耗和磁芯损耗可以在制造商的仿真或其他文档中找到。LTspice可以集成功率来计算相关的功率损耗。为LTspice提供电感记录的DCR和其他已知寄生参数可提高LTspice仿真精度。
线性电压稳压器是按照导通组件技术进行分类，包括:NPN-Darlington、NPN、PNP、PMOS及NMOS稳压器。显示不同的类型以及一般小电压差与静态电流特性。PNP双体晶体管一般被运用于低压降的应用，主要是因为这类晶体管很容易就能够达到低压降，然而，它会产生高静态电流，而且效率不高，因此不适用于以发挥率为首要考虑的应用。PMOS装置经过大量心力的开发，目前的效能已超越大多数的双体装置。