大兴安岭AVR系列稳压器厂家
稳压器有两种主要类型:线性和开关。这两种类型都可以调节系统的电压，但线性稳压器以低效率运行，而开关稳压器以高效率运行。在高效率开关稳压器中，大部分输入功率无耗散地传输到输出端。
显示了异步升压拓扑的简化原理图，图6显示了异步降压拓扑的简化原理图。两者的D模块是驱动功率MOSFET的PWM信号，开关周期的占空比由输入和输出电压比决定。在本文中，为了简单起见，我使用了无损连续导通模式（CCM）方程，因为它们提供了接近的结果。通过使用LTspice，我们可以清楚地看到两种不同拓扑的输入和输出电流之间的差异。图7显示了降压转换器的基本开环设计，将12V输入转换为3.3V输出，为阻性负载R1提供1A（3.3W）。PWMD模块由浮动电源V2实现，因为我们需要V门>V源建立N沟道MOSFETM1的导通。V2用作PULSE电压源，以实现0V至5V脉冲，该脉冲从仿真的时间0开始，在5ns内从0V转换到5V，并在5ns内再次回升，T上550ns，而TP（全开关周期）等于2μs。
二管放电处的反向恢复尖峰原因。较低的值意味着较低的功率损耗。该电容随电压而变化。（a）二管反向恢复电流尖峰。（b）放大二管反向恢复电流尖峰。选择升压IC时，从输出开始。从所需的输出电压和负载电流逆向工作以找到输入功率，同时考虑效率。由此，确定平均和峰值输入电流值。在升压中，电感中流动的平均电流高于负载电流，使得IC选择过程与降压选择过程不同。为升压转换器选择额定值合适的元件需要了解稳压器峰值以及平均电压和电流，这可以使用LTspice确定。
在电感两端对节点IN和SW之间的电压进行差分探测。T期间上，MOSFET导通，因此电感的右侧靠近地电位，而左侧位于V处在，使电感两端的电压在T期间为12V上.T期间关闭MOSFET关闭，电感的右侧为48V，而左侧为V在，如在T期间上.因为差分探头减去V西南部从V在，结果为–36V，但符号无关紧要（目前）。重要的是电感在12V和36V之间变化。稳态下通过电感器的电压和电流。T期间上，电感两端的电压绘制一个正di/dt，即蓝I（L1）图的斜率。此跟踪的大点为I峰，计算为0.847A。使用LTspice，我们可以看到峰值电流约为866mA。测量电感峰值电流。为了正确选择具有额定电流（IR）和饱和电流（I坐).IR更多的是在规定的电流下产生多少热量，而I坐适用于调用短路保护的事件。如果使用具有内部MOSFET的稳压器，（I坐>稳压器电流限制），如果控制器与外部MOSFET一起使用，则（I坐>峰值电感值），当触发电流限制时。