鄂州三相大功率稳压器制造商
比较负载电流上方和下方形成的电感电流的三角形形状，我们可以看到它们是相等的，简单的代数计算表明:平均电感电流等于负载电流。降压拓扑—电感电流和负载电流仿真示例。搜索降压稳压器IC时，可以地假设数据手册显示大允许输出电流，如I在≈I外，但升压拓扑并非如此。让我们看一下，其中显示了3.3V输入至12V输出的开环升压设计，电流为0.275A，约3.3W。在这种情况下，平均电感电流是多少？升压拓扑:3.3V至12V，约3.3W。输出电流为291mA，I（R2）时的直流走线，接近计算值。仿真负载电流为291mA，仿真结果表明电感电流的平均值为945mA，峰值大于1A。这是输出电流的3.6倍以上。T期间上—M2导通的时间，L2两端的电压为V3—电感从其小值充电到大值。T期间上，D2关断，负载电流由输出电容提供。LTspice仿真结果，在0.275A时从3.3V升压至12V。
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由于P沟道FET稳压器具有较低的压差和接地电流，因此被广泛用于许多电池供电的设备。该类型稳压器将P沟道FET用作它的旁路元件。这种稳压器的电压差可以很低，因为很容易通过调整FET尺寸将漏-源阻抗调整到较低值。另一个有用的特性是低的接地电流，因为P沟道FET的“栅电流”很低。然而，由于P沟道FET具有相对大的栅电容，因此它需要外接具有特定范围容量与ESR的电容才能稳定工作。N沟道FET稳压器适合那些要求低压差、低接地电流和高负载电流的设备使用。用于旁路管采用的是N沟道FET，因此这种稳压器的压差和接地电流都很低。虽然它也需要外接电容才能稳定工作，但电容值不用很大，ESR也不重要。N沟道FET稳压器需要充电泵来建立栅偏置电压，因此电路相对复杂一些。幸运的是，相同负载电流下N沟道FET尺寸多时可比P沟道FET小50%.
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稳压器是一种能自动调整输出电压的供电电路或供电设备，其作用是将波动较大和达不到电器设备要求的电源电压稳定在它的设定值范围内，使各种电路或电器设备能在额定工作电压下正常工作。
即使没有输出电容也相当稳定，它比较适合电压差较高的设备使用，规范NPN稳压器的优点是具有约等于PNP晶体管基电流的稳定接地电流。但较高的压差使得这种稳压器不适合许多嵌入式设备使用。NPN旁路晶体管稳压器是一种不错的选择，对于嵌入式应用而言，因为它压差小，容易使用。不过这种稳压器仍不适合具有很低压差要求的电池供电设备使用，因为它压差不够低。高增益NPN旁路管可使接地电流稳定在几个毫安，而且它公共发射结构具有很低的输出阻抗。