汕头单相交流稳压器多少钱
由于P沟道FET稳压器具有较低的压差和接地电流，因此被广泛用于许多电池供电的设备。该类型稳压器将P沟道FET用作它的旁路元件。这种稳压器的电压差可以很低，因为很容易通过调整FET尺寸将漏-源阻抗调整到较低值。另一个有用的特性是低的接地电流，因为P沟道FET的“栅电流”很低。然而，由于P沟道FET具有相对大的栅电容，因此它需要外接具有特定范围容量与ESR的电容才能稳定工作。N沟道FET稳压器适合那些要求低压差、低接地电流和高负载电流的设备使用。用于旁路管采用的是N沟道FET，因此这种稳压器的压差和接地电流都很低。虽然它也需要外接电容才能稳定工作，但电容值不用很大，ESR也不重要。N沟道FET稳压器需要充电泵来建立栅偏置电压，因此电路相对复杂一些。幸运的是，相同负载电流下N沟道FET尺寸多时可比P沟道FET小50%.
稳压器有:大型的几十至几千千瓦的交流稳压器，是供给大型实验与工业、医疗设备的工作电源。也有小型的几瓦到几千瓦的交流稳压器，是为小型实验室或家庭电器提供高质量电源
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即使没有输出电容也相当稳定，它比较适合电压差较高的设备使用，规范NPN稳压器的优点是具有约等于PNP晶体管基电流的稳定接地电流。但较高的压差使得这种稳压器不适合许多嵌入式设备使用。NPN旁路晶体管稳压器是一种不错的选择，对于嵌入式应用而言，因为它压差小，容易使用。不过这种稳压器仍不适合具有很低压差要求的电池供电设备使用，因为它压差不够低。高增益NPN旁路管可使接地电流稳定在几个毫安，而且它公共发射结构具有很低的输出阻抗。
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T期间上，电感与MOSFET串联，因此流过输入电感的电流都会流过开关。因此，数据手册规定了可以流过开关的大电流，I西南部.在为新设计选择升压IC时，应该知道通过开关（和电感）的预期大电流。T期间的原理图上:M2打开，V3与L2并行，D2关闭。例如，为以下应用使用升压稳压器:V在=12VV外=48V我外=0.15A选择正确的升压稳压器需要找到平均输入电流，因为这是T期间流过电感器和MOSFET的电流上.要找到此电流，请根据输出功率和效率从输出反向工作到输入: