铜川单相交流稳压器多少钱
由于P沟道FET稳压器具有较低的压差和接地电流，因此被广泛用于许多电池供电的设备。该类型稳压器将P沟道FET用作它的旁路元件。这种稳压器的电压差可以很低，因为很容易通过调整FET尺寸将漏-源阻抗调整到较低值。另一个有用的特性是低的接地电流，因为P沟道FET的“栅电流”很低。然而，由于P沟道FET具有相对大的栅电容，因此它需要外接具有特定范围容量与ESR的电容才能稳定工作。N沟道FET稳压器适合那些要求低压差、低接地电流和高负载电流的设备使用。用于旁路管采用的是N沟道FET，因此这种稳压器的压差和接地电流都很低。虽然它也需要外接电容才能稳定工作，但电容值不用很大，ESR也不重要。N沟道FET稳压器需要充电泵来建立栅偏置电压，因此电路相对复杂一些。幸运的是，相同负载电流下N沟道FET尺寸多时可比P沟道FET小50%.
由于部分电器中含有线圈组件，在通电初期会产生阻碍电流的涡流，涡流的产生既会削弱到电器启动时的瞬时电压，导致启动缓慢，又会加强断路后产生的瞬时电压，可能产生火花损坏电路。此时便需要一个稳压器来保护电路的正常运行。
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P外=V外×I外=48V×0.15A=7.2W假设效率为0.85（如果存在与所需设计具有相似输入和输出参数的效率曲线，则使用数据手册）。P在=P外/效率=7.2W/0.85=8.47W我在_AV=平均输入电流。这是导通时间内流入电感和开关的平均电流，由P在/V在=8.47W/12V=0.7A。再一次，我在是平均电感电流，大峰值电流将比I高1.15至1.20在，允许30%至40%的纹波电流。所以，我峰=I在×1.2=0.7A×1.2=0.847A。
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在许多功率控制应用中，功率晶体管MOSFET和IGFET在其高速反复“导通”和“关断”的开关模式下运行。这样做的主要优点是稳压器的功率效率可以高，因为晶体管要么导通并导通（饱和），要么截止（截止）。当然，每个开关稳压器设计在稳态占空比、输入和输出电流之间的关系以及固态开关动作产生的输出电压纹波方面都有其的属性。这些开关模式电源拓扑的另一个重要特性是开关动作对输出电压的频率响应。输出电压的调节是通过控制开关晶体管处于“ON”状态的时间与总的ON/OFF时间的百分比来实现的。这个比率称为占空比，通过改变占空比，(D输出电压的大小，VOUT可以控制。