新余无触点稳压器批发价格
当晶体管偏置为“ON”（开关闭合）时，二管D1变为反向偏置，输入电压VIN导致电流通过电感器流向输出端连接的负载，从而为电容器C1充电。当变化的电流流过电感线圈时，它会产生一个反电动势，根据法拉第定律，它与电流的流动相反，直到它达到一个稳定状态，在电感器周围产生磁场L1。只要TR1关闭，这种情况就会无限期地持续下去。当晶体管TR1被控制电路“关闭”（开关打开）时，输入电压会立即与发射电路断开，从而导致电感器周围的磁场崩溃，从而在电感器上产生反向电压。
在电感两端对节点IN和SW之间的电压进行差分探测。T期间上，MOSFET导通，因此电感的右侧靠近地电位，而左侧位于V处在，使电感两端的电压在T期间为12V上.T期间关闭MOSFET关闭，电感的右侧为48V，而左侧为V在，如在T期间上.因为差分探头减去V西南部从V在，结果为–36V，但符号无关紧要（目前）。重要的是电感在12V和36V之间变化。稳态下通过电感器的电压和电流。T期间上，电感两端的电压绘制一个正di/dt，即蓝I（L1）图的斜率。此跟踪的大点为I峰，计算为0.847A。使用LTspice，我们可以看到峰值电流约为866mA。测量电感峰值电流。为了正确选择具有额定电流（IR）和饱和电流（I坐).IR更多的是在规定的电流下产生多少热量，而I坐适用于调用短路保护的事件。如果使用具有内部MOSFET的稳压器，（I坐>稳压器电流限制），如果控制器与外部MOSFET一起使用，则（I坐>峰值电感值），当触发电流限制时。
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对二管耗散的功率进行积分，以产生平均功耗。二管具有一些在其导通期间充电的电容。当二管导通时，释放累积的电荷。这种阻尼电荷移动会导致功率损失，因此建议选择低电容值。该电容值随二管的反向电压而变化，二管数据手册应包括显示此效应的图表。该内部电容通常在二管数据手册中显示为Cd并在LTspice数据库中作为C乔.使用低电容二管可放宽对大反向恢复电流的要求，从而提率。图20显示了关于恢复电流的注意事项。反向恢复中固有的功耗留给读者练。
线性稳压器的主要缺点之一是效率低下，因为它们在某些用例中会消耗大量功率。线性稳压器的电压降与电阻器两端的电压降相当。例如，输入电压为 5V，输出电压为 3V，端子之间有 2V 的压降，效率被限制在 3V/5V (60%)。