秦皇岛SVC系列稳压器厂家哪家好
P外=V外×I外=48V×0.15A=7.2W假设效率为0.85（如果存在与所需设计具有相似输入和输出参数的效率曲线，则使用数据手册）。P在=P外/效率=7.2W/0.85=8.47W我在_AV=平均输入电流。这是导通时间内流入电感和开关的平均电流，由P在/V在=8.47W/12V=0.7A。再一次，我在是平均电感电流，大峰值电流将比I高1.15至1.20在，允许30%至40%的纹波电流。所以，我峰=I在×1.2=0.7A×1.2=0.847A。
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稳压器:它是一种能自动调整输出电压的供电电路或供电设备，其作用是将波动较大和不合用电器设备要求的电源电压稳定在它的设定值范围内，使各种电路或电器设备能在额定工作电压下正常工作。
显示了异步升压拓扑的简化原理图，图6显示了异步降压拓扑的简化原理图。两者的D模块是驱动功率MOSFET的PWM信号，开关周期的占空比由输入和输出电压比决定。在本文中，为了简单起见，我使用了无损连续导通模式（CCM）方程，因为它们提供了接近的结果。通过使用LTspice，我们可以清楚地看到两种不同拓扑的输入和输出电流之间的差异。图7显示了降压转换器的基本开环设计，将12V输入转换为3.3V输出，为阻性负载R1提供1A（3.3W）。PWMD模块由浮动电源V2实现，因为我们需要V门>V源建立N沟道MOSFETM1的导通。V2用作PULSE电压源，以实现0V至5V脉冲，该脉冲从仿真的时间0开始，在5ns内从0V转换到5V，并在5ns内再次回升，T上550ns，而TP（全开关周期）等于2μs。
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由于P沟道FET稳压器具有较低的压差和接地电流，因此被广泛用于许多电池供电的设备。该类型稳压器将P沟道FET用作它的旁路元件。这种稳压器的电压差可以很低，因为很容易通过调整FET尺寸将漏-源阻抗调整到较低值。另一个有用的特性是低的接地电流，因为P沟道FET的“栅电流”很低。然而，由于P沟道FET具有相对大的栅电容，因此它需要外接具有特定范围容量与ESR的电容才能稳定工作。N沟道FET稳压器适合那些要求低压差、低接地电流和高负载电流的设备使用。用于旁路管采用的是N沟道FET，因此这种稳压器的压差和接地电流都很低。虽然它也需要外接电容才能稳定工作，但电容值不用很大，ESR也不重要。N沟道FET稳压器需要充电泵来建立栅偏置电压，因此电路相对复杂一些。幸运的是，相同负载电流下N沟道FET尺寸多时可比P沟道FET小50%.