抚顺单相交流稳压器制造商
在许多功率控制应用中，功率晶体管MOSFET和IGFET在其高速反复“导通”和“关断”的开关模式下运行。这样做的主要优点是稳压器的功率效率可以高，因为晶体管要么导通并导通（饱和），要么截止（截止）。当然，每个开关稳压器设计在稳态占空比、输入和输出电流之间的关系以及固态开关动作产生的输出电压纹波方面都有其的属性。这些开关模式电源拓扑的另一个重要特性是开关动作对输出电压的频率响应。输出电压的调节是通过控制开关晶体管处于“ON”状态的时间与总的ON/OFF时间的百分比来实现的。这个比率称为占空比，通过改变占空比，(D输出电压的大小，VOUT可以控制。
抚顺单相交流稳压器制造商
线性稳压器的大效率与VO/VIN之比的关系。线性稳压器可以在VO接近VIN的情况下具有高的效率，然而，线性稳压器（LR）存在另一个限性，即VIN和VO之间的小电压差。LR中的晶体管在其线性模式中运作。于是，其在双型晶体管的集电至发射两端或FET的漏至源两端需要一个确定的小电压降。当VO过于接近VIN时，LR也许能够调节输出电压。那些能够在低裕量（VIN-VO）条件下工作的线性稳压器被称为低压差稳压器（LDO）。
购买稳压器的时候建议你要选购比实际功率大三倍的稳压器。因为稳压器在实际工作中要克服市电的浪涌冲击和感性负载的起动冲击(如冰箱、空调、马达和电动机}购买调压器的时候选择接触式自动调压器时，额定输出调压器应比转接式自动调压器留有更大的余量。
抚顺单相交流稳压器制造商
显示了异步升压拓扑的简化原理图，图6显示了异步降压拓扑的简化原理图。两者的D模块是驱动功率MOSFET的PWM信号，开关周期的占空比由输入和输出电压比决定。在本文中，为了简单起见，我使用了无损连续导通模式（CCM）方程，因为它们提供了接近的结果。通过使用LTspice，我们可以清楚地看到两种不同拓扑的输入和输出电流之间的差异。图7显示了降压转换器的基本开环设计，将12V输入转换为3.3V输出，为阻性负载R1提供1A（3.3W）。PWMD模块由浮动电源V2实现，因为我们需要V门>V源建立N沟道MOSFETM1的导通。V2用作PULSE电压源，以实现0V至5V脉冲，该脉冲从仿真的时间0开始，在5ns内从0V转换到5V，并在5ns内再次回升，T上550ns，而TP（全开关周期）等于2μs。