扬州智能无触点数控式稳压器生产厂家
在许多功率控制应用中，功率晶体管MOSFET和IGFET在其高速反复“导通”和“关断”的开关模式下运行。这样做的主要优点是稳压器的功率效率可以高，因为晶体管要么导通并导通（饱和），要么截止（截止）。当然，每个开关稳压器设计在稳态占空比、输入和输出电流之间的关系以及固态开关动作产生的输出电压纹波方面都有其的属性。这些开关模式电源拓扑的另一个重要特性是开关动作对输出电压的频率响应。输出电压的调节是通过控制开关晶体管处于“ON”状态的时间与总的ON/OFF时间的百分比来实现的。这个比率称为占空比，通过改变占空比，(D输出电压的大小，VOUT可以控制。
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需要注意的是，此处描述的升压拓扑对电感或二管没有电流限制。如果未使用开关，或者IC关闭，则输入到输出之间有一条直接路径。有些IC可提供额外的保护功能，例如停机模式中的输出断开、浪涌电流限制，以及解决这种直接输入至输出连接的其他功能—例如，LTC3122和LTC3539。为了提率，应使用具有低DCR（直流电阻）和低磁芯损耗的电感器。电感数据手册中注明了特定温度下的DCR——它随温度升高并具有容差。直流损耗可以通过P轻松计算INDUCTOR_LOSS=IIN_AV²×DCR，而交流损耗和磁芯损耗可以在制造商的仿真或其他文档中找到。LTspice可以集成功率来计算相关的功率损耗。为LTspice提供电感记录的DCR和其他已知寄生参数可提高LTspice仿真精度。
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稳压器容量都用伏安(VA)或千伏安(KVA)值表示﹐是负载中除纯电阻性负载外﹐还有感性和容性负载﹐即负载中除有功功率外﹐还有无功功率。这个指针反映了交流稳压电源带感性及容性负载的能力。
自耦式稳压器（单相0.5kVA~3kVA、10k卧式及以下，三相9kVA及以下）当输入相电压低于198V时，输出容量就开始下降；输入相电压等于160V时，下降到稳压器额定容量的50%。所以在电源电压的低端要注意减轻负载降额使用，以免使稳压器过载烧毁；自耦式稳压器能够同时输出220V和110V两种电压。但即使是由110V输出时，稳压器所带负载也不能超过额定容量的50%，否则就是过载使用。