贺州SVC系列稳压器生产厂家
当晶体管偏置为“ON”（开关闭合）时，二管D1变为反向偏置，输入电压VIN导致电流通过电感器流向输出端连接的负载，从而为电容器C1充电。当变化的电流流过电感线圈时，它会产生一个反电动势，根据法拉第定律，它与电流的流动相反，直到它达到一个稳定状态，在电感器周围产生磁场L1。只要TR1关闭，这种情况就会无限期地持续下去。当晶体管TR1被控制电路“关闭”（开关打开）时，输入电压会立即与发射电路断开，从而导致电感器周围的磁场崩溃，从而在电感器上产生反向电压。
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在许多功率控制应用中，功率晶体管MOSFET和IGFET在其高速反复“导通”和“关断”的开关模式下运行。这样做的主要优点是稳压器的功率效率可以高，因为晶体管要么导通并导通（饱和），要么截止（截止）。当然，每个开关稳压器设计在稳态占空比、输入和输出电流之间的关系以及固态开关动作产生的输出电压纹波方面都有其的属性。这些开关模式电源拓扑的另一个重要特性是开关动作对输出电压的频率响应。输出电压的调节是通过控制开关晶体管处于“ON”状态的时间与总的ON/OFF时间的百分比来实现的。这个比率称为占空比，通过改变占空比，(D输出电压的大小，VOUT可以控制。
稳压器由调压电路、控制电路、及伺服电机等组成，当输入电压或负载变化时，控制电路进行取样、比较、放大，然后驱动伺服电机转动，使调压器碳刷的位置改变，通过自动调整线圈匝数比，从而保持输出电压的稳定。容量较大的稳压器，还采用电压补偿的原理工作。
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P外=V外×I外=48V×0.15A=7.2W假设效率为0.85（如果存在与所需设计具有相似输入和输出参数的效率曲线，则使用数据手册）。P在=P外/效率=7.2W/0.85=8.47W我在_AV=平均输入电流。这是导通时间内流入电感和开关的平均电流，由P在/V在=8.47W/12V=0.7A。再一次，我在是平均电感电流，大峰值电流将比I高1.15至1.20在，允许30%至40%的纹波电流。所以，我峰=I在×1.2=0.7A×1.2=0.847A。