宿县单相交流稳压器厂家直销
当输入VBUS电压下降或负载电流增大时，VCC输出电压下降。反馈电压VFB也将下降。因此，反馈误差放大器和电流放大器产生更多的电流并输入晶体管Q1的基。这将减小电压降VCE，因而使VCC输出电压恢复，这样一来VFB=VREF.另一方面，如果VCC输出电压上升，则负反馈电路采取相似的方式增加VCE以确保3.3V输出的准确调节。总之，VO的变化都被线性稳压器晶体管的VCE电压所消减。所以，输出电压VCC恒定并处于良好调节状态。
由于部分电器中含有线圈组件，在通电初期会产生阻碍电流的涡流，涡流的产生既会削弱到电器启动时的瞬时电压，导致启动缓慢，又会加强断路后产生的瞬时电压，可能产生火花损坏电路。此时便需要一个稳压器来保护电路的正常运行。
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在电感两端对节点IN和SW之间的电压进行差分探测。T期间上，MOSFET导通，因此电感的右侧靠近地电位，而左侧位于V处在，使电感两端的电压在T期间为12V上.T期间关闭MOSFET关闭，电感的右侧为48V，而左侧为V在，如在T期间上.因为差分探头减去V西南部从V在，结果为–36V，但符号无关紧要（目前）。重要的是电感在12V和36V之间变化。稳态下通过电感器的电压和电流。T期间上，电感两端的电压绘制一个正di/dt，即蓝I（L1）图的斜率。此跟踪的大点为I峰，计算为0.847A。使用LTspice，我们可以看到峰值电流约为866mA。测量电感峰值电流。为了正确选择具有额定电流（IR）和饱和电流（I坐).IR更多的是在规定的电流下产生多少热量，而I坐适用于调用短路保护的事件。如果使用具有内部MOSFET的稳压器，（I坐>稳压器电流限制），如果控制器与外部MOSFET一起使用，则（I坐>峰值电感值），当触发电流限制时。
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由于P沟道FET稳压器具有较低的压差和接地电流，因此被广泛用于许多电池供电的设备。该类型稳压器将P沟道FET用作它的旁路元件。这种稳压器的电压差可以很低，因为很容易通过调整FET尺寸将漏-源阻抗调整到较低值。另一个有用的特性是低的接地电流，因为P沟道FET的“栅电流”很低。然而，由于P沟道FET具有相对大的栅电容，因此它需要外接具有特定范围容量与ESR的电容才能稳定工作。N沟道FET稳压器适合那些要求低压差、低接地电流和高负载电流的设备使用。用于旁路管采用的是N沟道FET，因此这种稳压器的压差和接地电流都很低。虽然它也需要外接电容才能稳定工作，但电容值不用很大，ESR也不重要。N沟道FET稳压器需要充电泵来建立栅偏置电压，因此电路相对复杂一些。幸运的是，相同负载电流下N沟道FET尺寸多时可比P沟道FET小50%.