烟台AVR系列稳压器多少钱
NMOS导通组件的大优势是它的电阻不高，不过，闸驱动的困难却使得这类导通组件在应用中显得并不理想。NMOSLDO（如TPS74901）能够在3A输出电流的情况下达到120mV小电压差。与PMOS拓朴装置不同的是，输出电容器对于回路稳定性的影响不大。不论是搭配多颗电容器或甚至不搭配电容器，德州仪器推出的多款NMOSLDO稳定的运作。NMOS的瞬时响应也优于PMOS拓朴，对于低输入电压的应用更是如此。
由于部分电器中含有线圈组件，在通电初期会产生阻碍电流的涡流，涡流的产生既会削弱到电器启动时的瞬时电压，导致启动缓慢，又会加强断路后产生的瞬时电压，可能产生火花损坏电路。此时便需要一个稳压器来保护电路的正常运行。
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比较负载电流上方和下方形成的电感电流的三角形形状，我们可以看到它们是相等的，简单的代数计算表明:平均电感电流等于负载电流。降压拓扑—电感电流和负载电流仿真示例。搜索降压稳压器IC时，可以地假设数据手册显示大允许输出电流，如I在≈I外，但升压拓扑并非如此。让我们看一下，其中显示了3.3V输入至12V输出的开环升压设计，电流为0.275A，约3.3W。在这种情况下，平均电感电流是多少？升压拓扑:3.3V至12V，约3.3W。输出电流为291mA，I（R2）时的直流走线，接近计算值。仿真负载电流为291mA，仿真结果表明电感电流的平均值为945mA，峰值大于1A。这是输出电流的3.6倍以上。T期间上—M2导通的时间，L2两端的电压为V3—电感从其小值充电到大值。T期间上，D2关断，负载电流由输出电容提供。LTspice仿真结果，在0.275A时从3.3V升压至12V。
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稳态二管电流积分提供IF（AV）和I（RMS）值所示的积分对话框显示通过二管的平均电流，为150mA。这应该小于二管数据手册中的IF（AV），大平均正向电流，通常在特定的外壳温度下说明。二管的功耗也可以从仿真中计算出来。二管数据手册指定P托特（总功率），即25°C时的总功耗，以及RTH（结温到环境热阻）。在LTspice中，通过将鼠标悬停在二管上，可以在波形查看器上显示功耗;将鼠标悬停在分立元件或电压源的主体上时，鼠标光标将变为电流探头。按ALT键将光标更改为温度计，然后单击以显示二管上的模拟功耗。放大稳态操作以使用与前面描述的二管电流积分相同的步骤对波形进行积分。二管功率处理包括二管两端的电压和流过二管的电流。