白银SVC系列稳压器厂家有哪些
仿真完成后，LTspice可以在波形查看器中集成波形，以产生均方根和平均值，并且通过相同的测量方法，产生二管将面临的平均电流。首先，放大要积分的波形部分-缩放可以有效地设置积分边界。在这种情况下，您希望缩放以覆盖大量稳态周期（不是启动或关闭）。要设置集成边界，请在稳定状态时间段上拖动并将鼠标悬停在图表名称上。所示的积分结果涵盖0.75ms，或超过一千个周期。光标变为手形图标。按CTRL键并单击以调用波形查看器的积分窗口。
由于部分电器中含有线圈组件，在通电初期会产生阻碍电流的涡流，涡流的产生既会削弱到电器启动时的瞬时电压，导致启动缓慢，又会加强断路后产生的瞬时电压，可能产生火花损坏电路。此时便需要一个稳压器来保护电路的正常运行。
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通过二管的电流和电压显示了二管V两端的仿真差分电压软件，输出、二管正向电流I（D1）和电感电流I（L1）。当开关打开时（在T期间上），阳接近地，阴处于输出电压，因此二管反向偏置并暴露在其大电压下，即V外.选择具有V的二管RRM（大峰值重复反向电压）高于V外是个标准。二管电压和电流以及电感中的电流。一旦MOSFET关闭，电感的峰值电流就会流过二管，在T开始时关闭周期，因此二管峰值电流与电感峰值电流相同。二管数据手册包括一个名为I的参数FRM，在持续时间和占空比处指定的重复峰值正向电流。该参数通常高于二管可以提供的平均电流。
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由于P沟道FET稳压器具有较低的压差和接地电流，因此被广泛用于许多电池供电的设备。该类型稳压器将P沟道FET用作它的旁路元件。这种稳压器的电压差可以很低，因为很容易通过调整FET尺寸将漏-源阻抗调整到较低值。另一个有用的特性是低的接地电流，因为P沟道FET的“栅电流”很低。然而，由于P沟道FET具有相对大的栅电容，因此它需要外接具有特定范围容量与ESR的电容才能稳定工作。N沟道FET稳压器适合那些要求低压差、低接地电流和高负载电流的设备使用。用于旁路管采用的是N沟道FET，因此这种稳压器的压差和接地电流都很低。虽然它也需要外接电容才能稳定工作，但电容值不用很大，ESR也不重要。N沟道FET稳压器需要充电泵来建立栅偏置电压，因此电路相对复杂一些。幸运的是，相同负载电流下N沟道FET尺寸多时可比P沟道FET小50%.