抚顺三相大功率稳压器制造商
正如预期的那样，当MOSFET导通时，电压电位接近地，但更重要的是，在T期间关闭，MOSFET关断，漏电压受输出电压加二管压降的影响。现在我们知道V的压力是多少了DS的场效应管。如果我们选择使用外部MOSFET作为电源开关的控制器设计，我们应该选择具有V的MOSFETDS额定电压为60V。在LTspice波形查看器中，可以使用光标进行水平和垂直测量，类似于示波器上的光标。要调用光标，请单击LTspice波形查看器中的V（sw）标签。这会将个游标附加到跟踪，再单击一次将第二个游标附加到同一迹线。或者，右键单击标签并选择所需的光标以显示给定的探测迹线。使用这些光标，您可以测量T上并计算占空比，由T给出上/时期。
由于部分电器中含有线圈组件，在通电初期会产生阻碍电流的涡流，涡流的产生既会削弱到电器启动时的瞬时电压，导致启动缓慢，又会加强断路后产生的瞬时电压，可能产生火花损坏电路。此时便需要一个稳压器来保护电路的正常运行。
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显示了异步升压拓扑的简化原理图，图6显示了异步降压拓扑的简化原理图。两者的D模块是驱动功率MOSFET的PWM信号，开关周期的占空比由输入和输出电压比决定。在本文中，为了简单起见，我使用了无损连续导通模式（CCM）方程，因为它们提供了接近的结果。通过使用LTspice，我们可以清楚地看到两种不同拓扑的输入和输出电流之间的差异。图7显示了降压转换器的基本开环设计，将12V输入转换为3.3V输出，为阻性负载R1提供1A（3.3W）。PWMD模块由浮动电源V2实现，因为我们需要V门>V源建立N沟道MOSFETM1的导通。V2用作PULSE电压源，以实现0V至5V脉冲，该脉冲从仿真的时间0开始，在5ns内从0V转换到5V，并在5ns内再次回升，T上550ns，而TP（全开关周期）等于2μs。
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即使没有输出电容也相当稳定，它比较适合电压差较高的设备使用，规范NPN稳压器的优点是具有约等于PNP晶体管基电流的稳定接地电流。但较高的压差使得这种稳压器不适合许多嵌入式设备使用。NPN旁路晶体管稳压器是一种不错的选择，对于嵌入式应用而言，因为它压差小，容易使用。不过这种稳压器仍不适合具有很低压差要求的电池供电设备使用，因为它压差不够低。高增益NPN旁路管可使接地电流稳定在几个毫安，而且它公共发射结构具有很低的输出阻抗。