潮州智能无触点数控式稳压器制造商
由于P沟道FET稳压器具有较低的压差和接地电流，因此被广泛用于许多电池供电的设备。该类型稳压器将P沟道FET用作它的旁路元件。这种稳压器的电压差可以很低，因为很容易通过调整FET尺寸将漏-源阻抗调整到较低值。另一个有用的特性是低的接地电流，因为P沟道FET的“栅电流”很低。然而，由于P沟道FET具有相对大的栅电容，因此它需要外接具有特定范围容量与ESR的电容才能稳定工作。N沟道FET稳压器适合那些要求低压差、低接地电流和高负载电流的设备使用。用于旁路管采用的是N沟道FET，因此这种稳压器的压差和接地电流都很低。虽然它也需要外接电容才能稳定工作，但电容值不用很大，ESR也不重要。N沟道FET稳压器需要充电泵来建立栅偏置电压，因此电路相对复杂一些。幸运的是，相同负载电流下N沟道FET尺寸多时可比P沟道FET小50%.
该反向电压导致二管正向偏置，因此电感器磁场中存储的能量迫使电流继续以相同方向流过负载，并通过二管返回。然后电感器L1将其存储的能量返回到负载，充当源并提供电流，直到电感器的能量返回到电路或直到晶体管开关再次闭合，以先到者为准。同时，电容器也会对负载的供电电流进行放电。电感器和电容器的组合形成了一个LC滤波器，可消除由晶体管开关动作产生的纹波。因此，当晶体管固态开关闭合时，电流由电源提供，而当晶体管开关断开时，电流由电感器提供。需要注意的是，流经电感器的电流沿相同方向，直接来自电源或通过二管，但显然在开关周期内的不同时间。
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线性稳压器的大效率与VO/VIN之比的关系。线性稳压器可以在VO接近VIN的情况下具有高的效率，然而，线性稳压器（LR）存在另一个限性，即VIN和VO之间的小电压差。LR中的晶体管在其线性模式中运作。于是，其在双型晶体管的集电至发射两端或FET的漏至源两端需要一个确定的小电压降。当VO过于接近VIN时，LR也许能够调节输出电压。那些能够在低裕量（VIN-VO）条件下工作的线性稳压器被称为低压差稳压器（LDO）。
线性稳压器的主要缺点之一是效率低下，因为它们在某些用例中会消耗大量功率。线性稳压器的电压降与电阻器两端的电压降相当。例如，输入电压为 5V，输出电压为 3V，端子之间有 2V 的压降，效率被限制在 3V/5V (60%)。