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稳压器有两种主要类型:线性和开关。这两种类型都可以调节系统的电压，但线性稳压器以低效率运行，而开关稳压器以高效率运行。在高效率开关稳压器中，大部分输入功率无耗散地传输到输出端。
线性稳压器的大效率与VO/VIN之比的关系。线性稳压器可以在VO接近VIN的情况下具有高的效率，然而，线性稳压器（LR）存在另一个限性，即VIN和VO之间的小电压差。LR中的晶体管在其线性模式中运作。于是，其在双型晶体管的集电至发射两端或FET的漏至源两端需要一个确定的小电压降。当VO过于接近VIN时，LR也许能够调节输出电压。那些能够在低裕量（VIN-VO）条件下工作的线性稳压器被称为低压差稳压器（LDO）。
在许多功率控制应用中，功率晶体管MOSFET和IGFET在其高速反复“导通”和“关断”的开关模式下运行。这样做的主要优点是稳压器的功率效率可以高，因为晶体管要么导通并导通（饱和），要么截止（截止）。当然，每个开关稳压器设计在稳态占空比、输入和输出电流之间的关系以及固态开关动作产生的输出电压纹波方面都有其的属性。这些开关模式电源拓扑的另一个重要特性是开关动作对输出电压的频率响应。输出电压的调节是通过控制开关晶体管处于“ON”状态的时间与总的ON/OFF时间的百分比来实现的。这个比率称为占空比，通过改变占空比，(D输出电压的大小，VOUT可以控制。
瞬态应用。线性稳压器反馈环路一般都是内置的，因此无需外部补偿。相比于SMPS，线性稳压器通常具有较宽的控制环路带宽和较快的瞬态响应。低压差应用。对于那些输出电压接近输入电压的应用来说，LDO可能比SMPS更有效。有低压差LDO（VLDO），例如:凌力尔特的LTC1844、LT3020和LTC3025，这些器件可提供20mV至90mV的压差电压和高达150mA的电流。小输入电压可低至0.9V.由于LR中没有AC开关损耗，因此LR或LDO的轻负载效率与其满负载效率很相近。SMPS常常因其AC开关损耗的缘故而具有较低的轻负载效率。在轻负载效率同样十分关键的电池供电型应用中，LDO可提供一种优于SMPS的解决方案。