南阳单相交流稳压器生产厂家
即使没有输出电容也相当稳定，它比较适合电压差较高的设备使用，规范NPN稳压器的优点是具有约等于PNP晶体管基电流的稳定接地电流。但较高的压差使得这种稳压器不适合许多嵌入式设备使用。NPN旁路晶体管稳压器是一种不错的选择，对于嵌入式应用而言，因为它压差小，容易使用。不过这种稳压器仍不适合具有很低压差要求的电池供电设备使用，因为它压差不够低。高增益NPN旁路管可使接地电流稳定在几个毫安，而且它公共发射结构具有很低的输出阻抗。
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线性稳压器通过在输入和输出之间串联一个连续导通的晶体管来产生稳定的直流输出，使其在其电流-电压(iv)特性的线性区域（因此得名）中运行。因此，晶体管的作用更像是一个可变电阻，它不断地将自身调整到维持正确输出电压所需的值。下面来看一个简单的串联传输晶体管稳压器电路:串联晶体管稳压电路在上面的电路图中，这个简单的射跟随器稳压器电路由一个NPN晶体管和一个直流偏置电压组成，以设置所需的输出电压。由于射跟随器电路具有单位电压增益，因此向晶体管基施加合适的偏置电压，可以从发射端子获得稳定的输出。
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稳压器容量都用伏安(VA)或千伏安(KVA)值表示﹐是负载中除纯电阻性负载外﹐还有感性和容性负载﹐即负载中除有功功率外﹐还有无功功率。这个指针反映了交流稳压电源带感性及容性负载的能力。
由于P沟道FET稳压器具有较低的压差和接地电流，因此被广泛用于许多电池供电的设备。该类型稳压器将P沟道FET用作它的旁路元件。这种稳压器的电压差可以很低，因为很容易通过调整FET尺寸将漏-源阻抗调整到较低值。另一个有用的特性是低的接地电流，因为P沟道FET的“栅电流”很低。然而，由于P沟道FET具有相对大的栅电容，因此它需要外接具有特定范围容量与ESR的电容才能稳定工作。N沟道FET稳压器适合那些要求低压差、低接地电流和高负载电流的设备使用。用于旁路管采用的是N沟道FET，因此这种稳压器的压差和接地电流都很低。虽然它也需要外接电容才能稳定工作，但电容值不用很大，ESR也不重要。N沟道FET稳压器需要充电泵来建立栅偏置电压，因此电路相对复杂一些。幸运的是，相同负载电流下N沟道FET尺寸多时可比P沟道FET小50%.