三门峡SVC系列稳压器厂家
输出电压也受占空比的限制。大和小占空比可能在数据手册中，也可以计算。使用LT8330将12V转换为48V，对于CCM，省略二管压降以获得高转换比，占空比根据输入和输出电压计算:D=（VO–V在）/VO=（48V–12V）/48V=0.75或75%检查IC是否能够在所需的占空比下工作。IC小占空比由下式给出:D=小T开（大）×fSW（大）IC大占空比由下式给出:D.MAX=1–（小值T熄灭（大）×fSW（大）)小T上和小T关闭可在数据手册的电气特性表中找到。使用表的小值、典型值和大值列中的大值。使用LT8330的公布值和和D.MAX方程结果为D=0.225和D.MAX=0.86。从结果中，我们可以看到LT8330应该能够将12V转换为48V，因为设计要求占空比为0.75。了解使用LTspice的外设应力
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NMOS导通组件的大优势是它的电阻不高，不过，闸驱动的困难却使得这类导通组件在应用中显得并不理想。NMOSLDO（如TPS74901）能够在3A输出电流的情况下达到120mV小电压差。与PMOS拓朴装置不同的是，输出电容器对于回路稳定性的影响不大。不论是搭配多颗电容器或甚至不搭配电容器，德州仪器推出的多款NMOSLDO稳定的运作。NMOS的瞬时响应也优于PMOS拓朴，对于低输入电压的应用更是如此。
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稳压器容量都用伏安(VA)或千伏安(KVA)值表示﹐是负载中除纯电阻性负载外﹐还有感性和容性负载﹐即负载中除有功功率外﹐还有无功功率。这个指针反映了交流稳压电源带感性及容性负载的能力。
对于嵌入式应用而言，NPN旁路晶体管稳压器是一种不错的选择，因为它的压差小，而且容易使用。不过这种稳压器仍不适合具有很低压差要求的电池供电设备使用，因为它的压差不够低。它的高增益NPN旁路管可使接地电流稳定在几个毫安，而且它的公共发射结构具有很低的输出阻抗。PNP旁路晶体管是一种低压差稳压器，其中的旁路元件就是PNP晶体管。它的输入输出压差一般在0.3到0.7V之间。因为压差低，因此这种PNP旁路晶体管稳压器适合电池供电的嵌入式设备使用。不过它的大接地电流会缩短电池的寿命。另外，PNP晶体管增益较低，会形成数毫安的不稳定接地电流。由于采用公共发射结构，因此它的输出阻抗比较高，这意味着需要外接特定范围容量和等效串联电阻（ESR）的电容才能够稳定工作。