德州稳压器价格
比较负载电流上方和下方形成的电感电流的三角形形状，我们可以看到它们是相等的，简单的代数计算表明:平均电感电流等于负载电流。降压拓扑—电感电流和负载电流仿真示例。搜索降压稳压器IC时，可以地假设数据手册显示大允许输出电流，如I在≈I外，但升压拓扑并非如此。让我们看一下，其中显示了3.3V输入至12V输出的开环升压设计，电流为0.275A，约3.3W。在这种情况下，平均电感电流是多少？升压拓扑:3.3V至12V，约3.3W。输出电流为291mA，I（R2）时的直流走线，接近计算值。仿真负载电流为291mA，仿真结果表明电感电流的平均值为945mA，峰值大于1A。这是输出电流的3.6倍以上。T期间上—M2导通的时间，L2两端的电压为V3—电感从其小值充电到大值。T期间上，D2关断，负载电流由输出电容提供。LTspice仿真结果，在0.275A时从3.3V升压至12V。
自耦式稳压器（单相0.5kVA~3kVA、10k卧式及以下，三相9kVA及以下）当输入相电压低于198V时，输出容量就开始下降；输入相电压等于160V时，下降到稳压器额定容量的50%。所以在电源电压的低端要注意减轻负载降额使用，以免使稳压器过载烧毁；自耦式稳压器能够同时输出220V和110V两种电压。但即使是由110V输出时，稳压器所带负载也不能超过额定容量的50%，否则就是过载使用。
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由于P沟道FET稳压器具有较低的压差和接地电流，因此被广泛用于许多电池供电的设备。该类型稳压器将P沟道FET用作它的旁路元件。这种稳压器的电压差可以很低，因为很容易通过调整FET尺寸将漏-源阻抗调整到较低值。另一个有用的特性是低的接地电流，因为P沟道FET的“栅电流”很低。然而，由于P沟道FET具有相对大的栅电容，因此它需要外接具有特定范围容量与ESR的电容才能稳定工作。N沟道FET稳压器适合那些要求低压差、低接地电流和高负载电流的设备使用。用于旁路管采用的是N沟道FET，因此这种稳压器的压差和接地电流都很低。虽然它也需要外接电容才能稳定工作，但电容值不用很大，ESR也不重要。N沟道FET稳压器需要充电泵来建立栅偏置电压，因此电路相对复杂一些。幸运的是，相同负载电流下N沟道FET尺寸多时可比P沟道FET小50%.
线性稳压器的主要缺点之一是效率低下，因为它们在某些用例中会消耗大量功率。线性稳压器的电压降与电阻器两端的电压降相当。例如，输入电压为 5V，输出电压为 3V，端子之间有 2V 的压降，效率被限制在 3V/5V (60%)。