防城港单相交流稳压器价格
稳压器有两种主要类型:线性和开关。这两种类型都可以调节系统的电压，但线性稳压器以低效率运行，而开关稳压器以高效率运行。在高效率开关稳压器中，大部分输入功率无耗散地传输到输出端。
升压开关稳压器升压型开关稳压器是另一种开关模式电源电路，它与之前的降压转换器具有相同类型的组件，但这次的位置不同。升压转换器旨在将直流电压从较低电压增加到较高电压，即它也增加或“提升”电源电压，从而在不改变性的情况下增加输出端的可用电压。换句话说，升压开关稳压器是升压稳压器电路，因此例如升压转换器可以将+5伏转换为+12伏。之前看到降压开关稳压器在其基本设计中使用串联开关晶体管。这与升压型开关稳压器设计的不同之处在于它使用并联的开关晶体管来控制开关电源的输出电压。
由于P沟道FET稳压器具有较低的压差和接地电流，因此被广泛用于许多电池供电的设备。该类型稳压器将P沟道FET用作它的旁路元件。这种稳压器的电压差可以很低，因为很容易通过调整FET尺寸将漏-源阻抗调整到较低值。另一个有用的特性是低的接地电流，因为P沟道FET的“栅电流”很低。然而，由于P沟道FET具有相对大的栅电容，因此它需要外接具有特定范围容量与ESR的电容才能稳定工作。N沟道FET稳压器适合那些要求低压差、低接地电流和高负载电流的设备使用。用于旁路管采用的是N沟道FET，因此这种稳压器的压差和接地电流都很低。虽然它也需要外接电容才能稳定工作，但电容值不用很大，ESR也不重要。N沟道FET稳压器需要充电泵来建立栅偏置电压，因此电路相对复杂一些。幸运的是，相同负载电流下N沟道FET尺寸多时可比P沟道FET小50%.
在电感两端对节点IN和SW之间的电压进行差分探测。T期间上，MOSFET导通，因此电感的右侧靠近地电位，而左侧位于V处在，使电感两端的电压在T期间为12V上.T期间关闭MOSFET关闭，电感的右侧为48V，而左侧为V在，如在T期间上.因为差分探头减去V西南部从V在，结果为–36V，但符号无关紧要（目前）。重要的是电感在12V和36V之间变化。稳态下通过电感器的电压和电流。T期间上，电感两端的电压绘制一个正di/dt，即蓝I（L1）图的斜率。此跟踪的大点为I峰，计算为0.847A。使用LTspice，我们可以看到峰值电流约为866mA。测量电感峰值电流。为了正确选择具有额定电流（IR）和饱和电流（I坐).IR更多的是在规定的电流下产生多少热量，而I坐适用于调用短路保护的事件。如果使用具有内部MOSFET的稳压器，（I坐>稳压器电流限制），如果控制器与外部MOSFET一起使用，则（I坐>峰值电感值），当触发电流限制时。