安康稳压器制造商
由于P沟道FET稳压器具有较低的压差和接地电流，因此被广泛用于许多电池供电的设备。该类型稳压器将P沟道FET用作它的旁路元件。这种稳压器的电压差可以很低，因为很容易通过调整FET尺寸将漏-源阻抗调整到较低值。另一个有用的特性是低的接地电流，因为P沟道FET的“栅电流”很低。然而，由于P沟道FET具有相对大的栅电容，因此它需要外接具有特定范围容量与ESR的电容才能稳定工作。N沟道FET稳压器适合那些要求低压差、低接地电流和高负载电流的设备使用。用于旁路管采用的是N沟道FET，因此这种稳压器的压差和接地电流都很低。虽然它也需要外接电容才能稳定工作，但电容值不用很大，ESR也不重要。N沟道FET稳压器需要充电泵来建立栅偏置电压，因此电路相对复杂一些。幸运的是，相同负载电流下N沟道FET尺寸多时可比P沟道FET小50%.
稳压器有:大型的几十至几千千瓦的交流稳压器，是供给大型实验与工业、医疗设备的工作电源。也有小型的几瓦到几千瓦的交流稳压器，是为小型实验室或家庭电器提供高质量电源
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当输入VBUS电压下降或负载电流增大时，VCC输出电压下降。反馈电压VFB也将下降。因此，反馈误差放大器和电流放大器产生更多的电流并输入晶体管Q1的基。这将减小电压降VCE，因而使VCC输出电压恢复，这样一来VFB=VREF.另一方面，如果VCC输出电压上升，则负反馈电路采取相似的方式增加VCE以确保3.3V输出的准确调节。总之，VO的变化都被线性稳压器晶体管的VCE电压所消减。所以，输出电压VCC恒定并处于良好调节状态。
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稳态二管电流积分提供IF（AV）和I（RMS）值所示的积分对话框显示通过二管的平均电流，为150mA。这应该小于二管数据手册中的IF（AV），大平均正向电流，通常在特定的外壳温度下说明。二管的功耗也可以从仿真中计算出来。二管数据手册指定P托特（总功率），即25°C时的总功耗，以及RTH（结温到环境热阻）。在LTspice中，通过将鼠标悬停在二管上，可以在波形查看器上显示功耗;将鼠标悬停在分立元件或电压源的主体上时，鼠标光标将变为电流探头。按ALT键将光标更改为温度计，然后单击以显示二管上的模拟功耗。放大稳态操作以使用与前面描述的二管电流积分相同的步骤对波形进行积分。二管功率处理包括二管两端的电压和流过二管的电流。