驻马店SVC系列稳压器多少钱
需要注意的是,此处描述的升压拓扑对电感或二管没有电流限制。如果未使用开关,或者IC关闭,则输入到输出之间有一条直接路径。有些IC可提供额外的保护功能,例如停机模式中的输出断开、浪涌电流限制,以及解决这种直接输入至输出连接的其他功能—例如,LTC3122和LTC3539。为了提率,应使用具有低DCR(直流电阻)和低磁芯损耗的电感器。电感数据手册中注明了特定温度下的DCR——它随温度升高并具有容差。直流损耗可以通过P轻松计算INDUCTOR_LOSS=IIN_AV²×DCR,而交流损耗和磁芯损耗可以在制造商的仿真或其他文档中找到。LTspice可以集成功率来计算相关的功率损耗。为LTspice提供电感记录的DCR和其他已知寄生参数可提高LTspice仿真精度。
由于部分电器中含有线圈组件,在通电初期会产生阻碍电流的涡流,涡流的产生既会削弱到电器启动时的瞬时电压,导致启动缓慢,又会加强断路后产生的瞬时电压,可能产生火花损坏电路。此时便需要一个稳压器来保护电路的正常运行。
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由于P沟道FET稳压器具有较低的压差和接地电流,因此被广泛用于许多电池供电的设备。该类型稳压器将P沟道FET用作它的旁路元件。这种稳压器的电压差可以很低,因为很容易通过调整FET尺寸将漏-源阻抗调整到较低值。另一个有用的特性是低的接地电流,因为P沟道FET的“栅电流”很低。然而,由于P沟道FET具有相对大的栅电容,因此它需要外接具有特定范围容量与ESR的电容才能稳定工作。N沟道FET稳压器适合那些要求低压差、低接地电流和高负载电流的设备使用。用于旁路管采用的是N沟道FET,因此这种稳压器的压差和接地电流都很低。虽然它也需要外接电容才能稳定工作,但电容值不用很大,ESR也不重要。N沟道FET稳压器需要充电泵来建立栅偏置电压,因此电路相对复杂一些。幸运的是,相同负载电流下N沟道FET尺寸多时可比P沟道FET小50%.
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当晶体管关闭时,输入电源现在通过串联的电感器和二管连接到输出。随着电感场的减小,存储在电感中的感应能量被VIN通过现在正向偏置的二管推到输出端。这一切的结果是电感器L1上的感应电压反转并添加到输入电源的电压上,从而增加了总输出电压,因为它现在变为VIN+VL。来自平滑电容器C1的电流在晶体管开关闭合时用于为负载供电,现在通过二管由输入电源返回到电容器。那么提供给电容器的电流就是二管电流,由于二管通过晶体管的开关动作不断地在其正向和反向状态之间切换,二管电流将为“ON”或“OFF”。那么平滑电容器大以产生平滑稳定的输出。