南宁无触点稳压器价格
对于嵌入式应用而言，NPN旁路晶体管稳压器是一种不错的选择，因为它的压差小，而且容易使用。不过这种稳压器仍不适合具有很低压差要求的电池供电设备使用，因为它的压差不够低。它的高增益NPN旁路管可使接地电流稳定在几个毫安，而且它的公共发射结构具有很低的输出阻抗。PNP旁路晶体管是一种低压差稳压器，其中的旁路元件就是PNP晶体管。它的输入输出压差一般在0.3到0.7V之间。因为压差低，因此这种PNP旁路晶体管稳压器适合电池供电的嵌入式设备使用。不过它的大接地电流会缩短电池的寿命。另外，PNP晶体管增益较低，会形成数毫安的不稳定接地电流。由于采用公共发射结构，因此它的输出阻抗比较高，这意味着需要外接特定范围容量和等效串联电阻（ESR）的电容才能够稳定工作。
稳压器有:大型的几十至几千千瓦的交流稳压器，是供给大型实验与工业、医疗设备的工作电源。也有小型的几瓦到几千瓦的交流稳压器，是为小型实验室或家庭电器提供高质量电源
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由于P沟道FET稳压器具有较低的压差和接地电流，因此被广泛用于许多电池供电的设备。该类型稳压器将P沟道FET用作它的旁路元件。这种稳压器的电压差可以很低，因为很容易通过调整FET尺寸将漏-源阻抗调整到较低值。另一个有用的特性是低的接地电流，因为P沟道FET的“栅电流”很低。然而，由于P沟道FET具有相对大的栅电容，因此它需要外接具有特定范围容量与ESR的电容才能稳定工作。N沟道FET稳压器适合那些要求低压差、低接地电流和高负载电流的设备使用。用于旁路管采用的是N沟道FET，因此这种稳压器的压差和接地电流都很低。虽然它也需要外接电容才能稳定工作，但电容值不用很大，ESR也不重要。N沟道FET稳压器需要充电泵来建立栅偏置电压，因此电路相对复杂一些。幸运的是，相同负载电流下N沟道FET尺寸多时可比P沟道FET小50%.
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降压稳压器开环拓扑，在1A电流下将12V转换为3.3V，设计功率约为3W。运行所示电路的仿真后，可以探测L1和R1的电流。L1中的电流具有三角形，因为它根据T的时序切换M1而进行充电和放电上、时间M1打开，T关闭，则为M1关闭的时间。L1电流以500kHz开关频率切换。我们可以看到电感电流是交流+直流波形。它从小值0.866A（T的末尾）转换关闭）的大值为1.144A（T结束上).当交流信号寻找阻抗小的路径时，电流的交流部分流过输出电容C2的ESR。这种交流电以及C2的充电和放电会产生输出电压纹波，而直流电流经R2。