东莞AVR系列稳压器生产厂家
稳压器有两种主要类型:线性和开关。这两种类型都可以调节系统的电压，但线性稳压器以低效率运行，而开关稳压器以高效率运行。在高效率开关稳压器中，大部分输入功率无耗散地传输到输出端。
LTC3621降压型稳压器数据手册首页显示了大典型工作电压和电流。相比之下，LT8330单芯片升压的数据手册标题说明了开关（内部功率MOSFET）的大电压（60V）和电流（1A），而不是负载电流和输入电压的典型大值。LT8330升压稳压器IC数据手册首页显示了大功率开关能力。您还可以看到，对于升压，3V至40V的输入电压范围与60V大开关电压不同。那么，为什么会有差异呢？在降压稳压器中，平均电感电流大约等于输出（负载）电流，而在升压拓扑中，情况并非如此。让我们通过检查升压拓扑与降压的比较来了解原因。
显示了异步升压拓扑的简化原理图，图6显示了异步降压拓扑的简化原理图。两者的D模块是驱动功率MOSFET的PWM信号，开关周期的占空比由输入和输出电压比决定。在本文中，为了简单起见，我使用了无损连续导通模式（CCM）方程，因为它们提供了接近的结果。通过使用LTspice，我们可以清楚地看到两种不同拓扑的输入和输出电流之间的差异。图7显示了降压转换器的基本开环设计，将12V输入转换为3.3V输出，为阻性负载R1提供1A（3.3W）。PWMD模块由浮动电源V2实现，因为我们需要V门>V源建立N沟道MOSFETM1的导通。V2用作PULSE电压源，以实现0V至5V脉冲，该脉冲从仿真的时间0开始，在5ns内从0V转换到5V，并在5ns内再次回升，T上550ns，而TP（全开关周期）等于2μs。
正如预期的那样，当MOSFET导通时，电压电位接近地，但更重要的是，在T期间关闭，MOSFET关断，漏电压受输出电压加二管压降的影响。现在我们知道V的压力是多少了DS的场效应管。如果我们选择使用外部MOSFET作为电源开关的控制器设计，我们应该选择具有V的MOSFETDS额定电压为60V。在LTspice波形查看器中，可以使用光标进行水平和垂直测量，类似于示波器上的光标。要调用光标，请单击LTspice波形查看器中的V（sw）标签。这会将个游标附加到跟踪，再单击一次将第二个游标附加到同一迹线。或者，右键单击标签并选择所需的光标以显示给定的探测迹线。使用这些光标，您可以测量T上并计算占空比，由T给出上/时期。