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集成型线性稳压器实例:只有3个引脚的7.5A线性稳压器线性稳压器的缺点分析线性稳压器会消耗大量的功率。采用线性稳压器的一个主要缺点是其运行于线性模式之串联晶体管Q1会有过大功率耗散。如前文所述,线性稳压器从概念上讲是一个可变电阻器。由于的负载电流都经过串联电阻器,故其功率耗散为PLOSS=(VIN-VO)IO.在该场合中,线性稳压器的效率可由下式估算:例子中,当输入为12V且输出为3.3V时,线性稳压器的效率仅为27.5%.在此场合中,82.5%的输入功率浪费掉了,并在稳压器中产生了热量。这意味着晶体管具备在坏情况下(大VIN和满负载)处理其功率/热耗散的热能力。因此,线性稳压器及其散热器的尺寸可能很大,是在VO远远低于VIN的时候。如图5所示,线性稳压器的大效率与VO/VIN之比成比例。
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由于P沟道FET稳压器具有较低的压差和接地电流,因此被广泛用于许多电池供电的设备。该类型稳压器将P沟道FET用作它的旁路元件。这种稳压器的电压差可以很低,因为很容易通过调整FET尺寸将漏-源阻抗调整到较低值。另一个有用的特性是低的接地电流,因为P沟道FET的“栅电流”很低。然而,由于P沟道FET具有相对大的栅电容,因此它需要外接具有特定范围容量与ESR的电容才能稳定工作。N沟道FET稳压器适合那些要求低压差、低接地电流和高负载电流的设备使用。用于旁路管采用的是N沟道FET,因此这种稳压器的压差和接地电流都很低。虽然它也需要外接电容才能稳定工作,但电容值不用很大,ESR也不重要。N沟道FET稳压器需要充电泵来建立栅偏置电压,因此电路相对复杂一些。幸运的是,相同负载电流下N沟道FET尺寸多时可比P沟道FET小50%.
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稳压器容量都用伏安(VA)或千伏安(KVA)值表示﹐是负载中除纯电阻性负载外﹐还有感性和容性负载﹐即负载中除有功功率外﹐还有无功功率。这个指针反映了交流稳压电源带感性及容性负载的能力。
升压开关稳压器升压型开关稳压器是另一种开关模式电源电路,它与之前的降压转换器具有相同类型的组件,但这次的位置不同。升压转换器旨在将直流电压从较低电压增加到较高电压,即它也增加或“提升”电源电压,从而在不改变性的情况下增加输出端的可用电压。换句话说,升压开关稳压器是升压稳压器电路,因此例如升压转换器可以将+5伏转换为+12伏。之前看到降压开关稳压器在其基本设计中使用串联开关晶体管。这与升压型开关稳压器设计的不同之处在于它使用并联的开关晶体管来控制开关电源的输出电压。